RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
RF-MBE생장AlN/GaN초정격결구이유전자기재료
Two-Dimensional Electron Gas Materials with AlN/GaN Superlattice Structure Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 6期 602-605 ,共4页

    胡国新%王晓亮%孙殿照%王军喜%刘宏新%刘成海%曾一平%李晋闽%林兰英

    호국신%왕효량%손전조%왕군희%류굉신%류성해%증일평%리진민%림란영

    RF-MBE%二维电子气%HFET%AlGaN/GaN RF-MBE%二維電子氣%HFET%AlGaN/GaN
    RF-MBE%이유전자기%HFET%AlGaN/GaN
    用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料.所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2×1018cm-3,相应的电子迁移率为221cm2/(V*s);1μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7′;极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm2/(V*s),相应的二维电子气面密度为7.5×1012cm-2.
    용사빈등리자체보조분자속외연기술(RF-MBE)재c면람보석츤저상외연료고질량적GaN막이급AlN/GaN초정격결구겁화감응이유전자기재료.소획득적참Si적GaN막실온전자농도위2.2×1018cm-3,상응적전자천이솔위221cm2/(V*s);1μm후적GaN외연막적(0002)X사선연사요파곡선반고관(FWHM)위7′;겁화감응산생적이유전자기실온전자천이솔체도1086cm2/(V*s),상응적이유전자기면밀도위7.5×1012cm-2.
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