半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
3期
318-321
,共4页
郑丽萍%严北平%孙海锋%刘新宇%和致经%吴德馨
鄭麗萍%嚴北平%孫海鋒%劉新宇%和緻經%吳德馨
정려평%엄북평%손해봉%류신우%화치경%오덕형
开启电压%GaAsSb%双异质结晶体管
開啟電壓%GaAsSb%雙異質結晶體管
개계전압%GaAsSb%쌍이질결정체관
采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(double heterojunction bipolar transistor,DHBT).器件性能如下:BE结的正向开启电压(turn-on voltage)仅为0.73V;当IB=1μA/step时,直流增益达到了100,BVCEO=5～6V.通过对基区不同Sb含量器件的比较得到,器件的直流特性与基区Sb的含量有关.
採用窄禁帶寬度材料GaAsSb作為異質結晶體管的基區材料,成功研製齣瞭能有效降低電路工作電壓和功率損耗的低開啟電壓的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs雙異質結晶體管(double heterojunction bipolar transistor,DHBT).器件性能如下:BE結的正嚮開啟電壓(turn-on voltage)僅為0.73V;噹IB=1μA/step時,直流增益達到瞭100,BVCEO=5～6V.通過對基區不同Sb含量器件的比較得到,器件的直流特性與基區Sb的含量有關.
채용착금대관도재료GaAsSb작위이질결정체관적기구재료,성공연제출료능유효강저전로공작전압화공솔손모적저개계전압적NPN InGaP/GaAsSb/GaAs쌍이질결정체관(double heterojunction bipolar transistor,DHBT).기건성능여하:BE결적정향개계전압(turn-on voltage)부위0.73V;당IB=1μA/step시,직류증익체도료100,BVCEO=5～6V.통과대기구불동Sb함량기건적비교득도,기건적직류특성여기구Sb적함량유관.
