固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
4期
375-379,386
,共6页
钱峰%陈新宇%周剑明%陈效建
錢峰%陳新宇%週劍明%陳效建
전봉%진신우%주검명%진효건
砷化镓异质结双极晶体管%功率放大器%移动通信
砷化鎵異質結雙極晶體管%功率放大器%移動通信
신화가이질결쌍겁정체관%공솔방대기%이동통신
介绍了移动通信用GaAs HBT功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑.该两级放大电路在1 800 MHz、3.6 V偏压下,相关增益＞30 dB,1分贝压缩点输出功率达到28.8 dBm,饱和输出功率＞30 dBm,最大效率＞37%.采用Φ 76 mm工艺制作,工艺成品率高.
介紹瞭移動通信用GaAs HBT功率放大器的設計、製作,給齣瞭電路拓撲.該兩級放大電路在1 800 MHz、3.6 V偏壓下,相關增益＞30 dB,1分貝壓縮點輸齣功率達到28.8 dBm,飽和輸齣功率＞30 dBm,最大效率＞37%.採用Φ 76 mm工藝製作,工藝成品率高.
개소료이동통신용GaAs HBT공솔방대기적설계、제작,급출료전로탁복.해량급방대전로재1 800 MHz、3.6 V편압하,상관증익＞30 dB,1분패압축점수출공솔체도28.8 dBm,포화수출공솔＞30 dBm,최대효솔＞37%.채용Φ 76 mm공예제작,공예성품솔고.
