高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2000年
5期
39-42
,共4页
庄婉如%郑有炓%朱顺明%刘夏冰%黄永箴
莊婉如%鄭有炓%硃順明%劉夏冰%黃永箴
장완여%정유료%주순명%류하빙%황영잠
锗硅%硅基光电子器件%光探测器%光电子集成
鍺硅%硅基光電子器件%光探測器%光電子集成
타규%규기광전자기건%광탐측기%광전자집성
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex波导探测器.混晶Si1-xGex是在硅基SiON/SiO2/Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经650℃退火30min得到的.探测器宽 10μm,长2mm. 探测器加上20V偏置电压时,探测灵敏度在0.022～0.010A/W之间. 混晶Si1-xGex造成探测器的光谱响应曲线发生蓝移.当锗组分x=0.35、0.4、0.5、和0.6时,探测器峰值波长分别对应为875nm、892nm、938nm和984nm.这种探测器有望能直接制作在硅基SiO2波导元器件的尾端上,可用于光互连和光数据处理.
首次報導瞭光電導型混晶Si1-xGex波導探測器.混晶Si1-xGex是在硅基SiON/SiO2/Si上用快速加熱超低壓化學氣相澱積生長併經650℃退火30min得到的.探測器寬 10μm,長2mm. 探測器加上20V偏置電壓時,探測靈敏度在0.022～0.010A/W之間. 混晶Si1-xGex造成探測器的光譜響應麯線髮生藍移.噹鍺組分x=0.35、0.4、0.5、和0.6時,探測器峰值波長分彆對應為875nm、892nm、938nm和984nm.這種探測器有望能直接製作在硅基SiO2波導元器件的尾耑上,可用于光互連和光數據處理.
수차보도료광전도형혼정Si1-xGex파도탐측기.혼정Si1-xGex시재규기SiON/SiO2/Si상용쾌속가열초저압화학기상정적생장병경650℃퇴화30min득도적.탐측기관 10μm,장2mm. 탐측기가상20V편치전압시,탐측령민도재0.022～0.010A/W지간. 혼정Si1-xGex조성탐측기적광보향응곡선발생람이.당타조분x=0.35、0.4、0.5、화0.6시,탐측기봉치파장분별대응위875nm、892nm、938nm화984nm.저충탐측기유망능직접제작재규기SiO2파도원기건적미단상,가용우광호련화광수거처리.
