LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射
LPCVD담화규박막적실온가견광발사
Luminescence from Silicon Nitride Film by LPCVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 5期 517-520 ,共4页

    刘渝珍%石万全%韩一琴%刘世祥%赵玲莉%孙宝银%叶甜春%陈梦真

    류투진%석만전%한일금%류세상%조령리%손보은%협첨춘%진몽진

    激发%LPCVD%光致发光%能隙态模型 激髮%LPCVD%光緻髮光%能隙態模型
    격발%LPCVD%광치발광%능극태모형
    在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.
    재4.66eV적격광격발하,재실온하LPCVD담화규박막가발사고강도가견광,기봉위위치분별위2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10화1.90eV적6개PL봉,건립료가견광발사적능극태모형,토론료발광궤제.
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