半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
z1期
49-52
,共4页
埋沟CCD%工作状态%设计
埋溝CCD%工作狀態%設計
매구CCD%공작상태%설계
BCCD%operation mode%design
文章针对埋沟CCD器件的设计，详细介绍了CCD的工作状态及器件性能参数的设计考虑。对工作在不同状态的CCD，着重讨论了其信号容量、低噪声读出、工作速度等参数及其限制。
文章針對埋溝CCD器件的設計，詳細介紹瞭CCD的工作狀態及器件性能參數的設計攷慮。對工作在不同狀態的CCD，著重討論瞭其信號容量、低譟聲讀齣、工作速度等參數及其限製。
문장침대매구CCD기건적설계，상세개소료CCD적공작상태급기건성능삼수적설계고필。대공작재불동상태적CCD，착중토론료기신호용량、저조성독출、공작속도등삼수급기한제。
his paper introduces the design of operation mode and performance of a buried channel CCD, with the focus on the capacity of electrons in the well, low noise readout, operation techniques and limitations for several different operation modes.
