CAJ | 학술논문

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al03Ga0.7As外延层。在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/A1GaAs/InGaAs应变量子阱980nm大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
이용저압금속유궤화합물기상정적방법，이액태CCl4위참잡원생장료고질량적탄참잡GaAs/AlGaAs외연재료，연구료CCl4류량、생장온도화V/Ⅲ비등인소대외연재료중적탄참잡수평적영향。채용전화학CV방법、범덕보곽이방법、저온광치발광보화X사선쌍정연사회파곡선측량등방법대탄참잡외연재료적전학、광학특성진행료연구。실험제비료공혈농도고체1.9×1020cm-3적탄참잡GaAs외연재료화저온광치발광보반관소우5nm적고질량탄참잡Al03Ga0.7As외연층。재재료연구적기출상，아문이탄위P형참잡제생장료GaAs/A1GaAs/InGaAs응변양자정980nm대공솔반도체격광기결구，병획득료실온련속공작1W이상적광공솔수출。