电子电力技术
電子電力技術
전자전력기술
POWER ELECTRONICS
2000年
2期
51-53
,共3页
场效应晶体管%薄膜%模拟/金属氧化物场效应晶体管%自加热%温度分布
場效應晶體管%薄膜%模擬/金屬氧化物場效應晶體管%自加熱%溫度分佈
장효응정체관%박막%모의/금속양화물장효응정체관%자가열%온도분포
通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜SOILDMOS的电热模拟对比,研究了二氧化硅低热导率对器件温度分布及I-V特性的作用.首次表征了仅由埋氧化层热阻所致的自加热效应.重点讨论了薄膜SOI高压MOSFET的自加热效应与器件结构和工艺参数的关系.
通過具有埋氧化層熱阻影響和無此影響的薄膜SOILDMOS的電熱模擬對比,研究瞭二氧化硅低熱導率對器件溫度分佈及I-V特性的作用.首次錶徵瞭僅由埋氧化層熱阻所緻的自加熱效應.重點討論瞭薄膜SOI高壓MOSFET的自加熱效應與器件結構和工藝參數的關繫.
통과구유매양화층열조영향화무차영향적박막SOILDMOS적전열모의대비,연구료이양화규저열도솔대기건온도분포급I-V특성적작용.수차표정료부유매양화층열조소치적자가열효응.중점토론료박막SOI고압MOSFET적자가열효응여기건결구화공예삼수적관계.
