电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
1999年
6期
11-13
,共3页
袁战恒%徐友龙%曹婉真%邵祖发
袁戰恆%徐友龍%曹婉真%邵祖髮
원전항%서우룡%조완진%소조발
铝阳极氧化膜%陷阱浓度%隧穿起始场强
鋁暘極氧化膜%陷阱濃度%隧穿起始場彊
려양겁양화막%함정농도%수천기시장강
通过对铝阳极氧化膜I-V特性进行导电机理分析,比较不同R(O∶Al)及不同杂质含量氧化膜的I-V特性,发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子,对空间电荷限制电流作用没有贡献,而且会降低氧化膜的隧穿起始电压,增加额定工作电压下的漏电流.
通過對鋁暘極氧化膜I-V特性進行導電機理分析,比較不同R(O∶Al)及不同雜質含量氧化膜的I-V特性,髮現不能形成受主、施主摻雜的雜質離子,對空間電荷限製電流作用沒有貢獻,而且會降低氧化膜的隧穿起始電壓,增加額定工作電壓下的漏電流.
통과대려양겁양화막I-V특성진행도전궤리분석,비교불동R(O∶Al)급불동잡질함량양화막적I-V특성,발현불능형성수주、시주참잡적잡질리자,대공간전하한제전류작용몰유공헌,이차회강저양화막적수천기시전압,증가액정공작전압하적루전류.
