测控技术
測控技術
측공기술
MEASUREMENT & CONTROL TECHNOLOGY
1999年
3期
15-16
,共2页
半导体磁阻效应%Insb磁敏电位器%非接触磁敏电位器
半導體磁阻效應%Insb磁敏電位器%非接觸磁敏電位器
반도체자조효응%Insb자민전위기%비접촉자민전위기
介绍了以磁阻效应为工作原理的Insb磁敏电位器的设计和制作.这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长.性能测试结果表明:输出电压为3.5 V/10°.
介紹瞭以磁阻效應為工作原理的Insb磁敏電位器的設計和製作.這種傳感器的主要特點是高分辨率、非接觸、體積小、重量輕和使用壽命長.性能測試結果錶明:輸齣電壓為3.5 V/10°.
개소료이자조효응위공작원리적Insb자민전위기적설계화제작.저충전감기적주요특점시고분변솔、비접촉、체적소、중량경화사용수명장.성능측시결과표명:수출전압위3.5 V/10°.
