固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
2期
236-240
,共5页
黄君凯%易清明%刘伟平%钟雨乐%张坤
黃君凱%易清明%劉偉平%鐘雨樂%張坤
황군개%역청명%류위평%종우악%장곤
金属-氮化硅-二氧化硅-硅结构%存储陷阱分布%高频容-压特性
金屬-氮化硅-二氧化硅-硅結構%存儲陷阱分佈%高頻容-壓特性
금속-담화규-이양화규-규결구%존저함정분포%고빈용-압특성
采用高频C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄SiO2膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构Si 3N4膜,两者组成的栅介质膜的陷阱特性(包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数) .结果表明:在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频C-V理论及其分析方法,可以很好地表征实验曲线,并获取所需的存储陷阱分布参数.
採用高頻C-V特性測試技術 ,研究由熱氧化生成的超薄SiO2膜和低壓化學汽相澱積法製備的非均勻結構Si 3N4膜,兩者組成的柵介質膜的陷阱特性(包括陷阱密度、能量和空間分佈深度等參數) .結果錶明:在柵複閤膜陷阱電荷非穩態釋放模型下建立的高頻C-V理論及其分析方法,可以很好地錶徵實驗麯線,併穫取所需的存儲陷阱分佈參數.
채용고빈C-V특성측시기술 ,연구유열양화생성적초박SiO2막화저압화학기상정적법제비적비균균결구Si 3N4막,량자조성적책개질막적함정특성(포괄함정밀도、능량화공간분포심도등삼수) .결과표명:재책복합막함정전하비은태석방모형하건립적고빈C-V이론급기분석방법,가이흔호지표정실험곡선,병획취소수적존저함정분포삼수.
