功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
2期
123-127
,共5页
杜伟%程珊华%宁兆元%叶超%辛煜%黄松
杜偉%程珊華%寧兆元%葉超%辛煜%黃鬆
두위%정산화%저조원%협초%신욱%황송
电子回旋共振放电等离子体%化学气相沉积%氟化非晶碳薄膜%发射光谱
電子迴鏇共振放電等離子體%化學氣相沉積%氟化非晶碳薄膜%髮射光譜
전자회선공진방전등리자체%화학기상침적%불화비정탄박막%발사광보
使用光强标定的发射光谱( AOES)测量了 CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振( ECR) 放电等离子体中基团的分布状态.实验发现随着 CHF3流量的增加 ,成膜基团 CF、 CF2、 CH等的相 对密度增大 ,而刻蚀基团 F的密度也会增加 ,从而使得 a-C:F薄膜的沉积速率降低.同时红外 吸收谱 (IR)分析表明 ,在高 CHF3流量下沉积的 a-C:F薄膜中含有更高的 C-F键成分.可见 在 a-C:F薄膜的制备中 CHF3/(CHF3+ C6H6)流量比是重要的控制参量.
使用光彊標定的髮射光譜( AOES)測量瞭 CHF3/C6H6混閤氣體的微波電子迴鏇共振( ECR) 放電等離子體中基糰的分佈狀態.實驗髮現隨著 CHF3流量的增加 ,成膜基糰 CF、 CF2、 CH等的相 對密度增大 ,而刻蝕基糰 F的密度也會增加 ,從而使得 a-C:F薄膜的沉積速率降低.同時紅外 吸收譜 (IR)分析錶明 ,在高 CHF3流量下沉積的 a-C:F薄膜中含有更高的 C-F鍵成分.可見 在 a-C:F薄膜的製備中 CHF3/(CHF3+ C6H6)流量比是重要的控製參量.
사용광강표정적발사광보( AOES)측량료 CHF3/C6H6혼합기체적미파전자회선공진( ECR) 방전등리자체중기단적분포상태.실험발현수착 CHF3류량적증가 ,성막기단 CF、 CF2、 CH등적상 대밀도증대 ,이각식기단 F적밀도야회증가 ,종이사득 a-C:F박막적침적속솔강저.동시홍외 흡수보 (IR)분석표명 ,재고 CHF3류량하침적적 a-C:F박막중함유경고적 C-F건성분.가견 재 a-C:F박막적제비중 CHF3/(CHF3+ C6H6)류량비시중요적공제삼량.
