物理学报
物理學報
물이학보
2002年
8期
1793-1797
,共5页
王剑屏%郝跃%彭军%朱作云%张永华
王劍屏%郝躍%彭軍%硃作雲%張永華
왕검병%학약%팽군%주작운%장영화
碳化硅%外延生长%化学汽相淀积
碳化硅%外延生長%化學汽相澱積
탄화규%외연생장%화학기상정적
报道了在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上采用atmospheric pressure chemical vapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究. 通过引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在35.49°和75.02°发现了6H-SiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的. 扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵向剖面的元素结构进行了分析,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义.
報道瞭在藍寶石(α-Al2O3)襯底上採用atmospheric pressure chemical vapor(APCVD)技術異質外延碳化硅薄膜材料的研究. 通過引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物為中間的緩遲層,在C(0001)藍寶石上成功地生長齣SiC薄膜,經過四晶衍射分析,分彆在35.49°和75.02°髮現瞭6H-SiC(0006)麵和(00012)晶麵族的對稱衍射峰,顯示SiC薄膜的晶體取嚮與(0001)麵的襯底是相同的. 掃描電子顯微鏡(SEM)的觀察顯示薄膜錶麵連續、光滑,不要利用二次離子質譜儀(SIMS)方法對生長膜層在縱嚮剖麵的元素結構進行瞭分析,證明良好的氮化物緩遲層對碳化硅薄膜異質生長具有重要的意義.
보도료재람보석(α-Al2O3)츤저상채용atmospheric pressure chemical vapor(APCVD)기술이질외연탄화규박막재료적연구. 통과인입Ⅲ-Ⅴ족담화물위중간적완충층,재C(0001)람보석상성공지생장출SiC박막,경과사정연사분석,분별재35.49°화75.02°발현료6H-SiC(0006)면화(00012)정면족적대칭연사봉,현시SiC박막적정체취향여(0001)면적츤저시상동적. 소묘전자현미경(SEM)적관찰현시박막표면련속、광활,불요이용이차리자질보의(SIMS)방법대생장막층재종향부면적원소결구진행료분석,증명량호적담화물완충층대탄화규박막이질생장구유중요적의의.
