光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2002年
9期
881-884
,共4页
周小平%周剑英%杨爱龄%李锡华%江晓清%王明华
週小平%週劍英%楊愛齡%李錫華%江曉清%王明華
주소평%주검영%양애령%리석화%강효청%왕명화
量子阱%等效宽度%GaAs/GaAlAs
量子阱%等效寬度%GaAs/GaAlAs
양자정%등효관도%GaAs/GaAlAs
在有效质量近似下,分析了GaAs/GaAlAs量子阱结构中有限深势阱(FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式,发现结果与前人的数据吻合得很好;进一步的分析表明,该公式在非零电场下仍然适用,并从波函数角度进行了论证.
在有效質量近似下,分析瞭GaAs/GaAlAs量子阱結構中有限深勢阱(FPB)和理想的無限深勢阱(IPB)的粒子的基態能級,得到零電場下等效寬度與阱真實寬度之間的顯式錶達式,髮現結果與前人的數據吻閤得很好;進一步的分析錶明,該公式在非零電場下仍然適用,併從波函數角度進行瞭論證.
재유효질량근사하,분석료GaAs/GaAlAs양자정결구중유한심세정(FPB)화이상적무한심세정(IPB)적입자적기태능급,득도령전장하등효관도여정진실관도지간적현식표체식,발현결과여전인적수거문합득흔호;진일보적분석표명,해공식재비령전장하잉연괄용,병종파함수각도진행료론증.
