半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1051-1056
,共6页
在阱中的量子点%电子能级结构%光致发光峰波长
在阱中的量子點%電子能級結構%光緻髮光峰波長
재정중적양자점%전자능급결구%광치발광봉파장
在有效质量近似框架内,采用绝热近似,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质.计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高,随量子点尺寸的增大而降低,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低.说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移,与已知的实验结果一致.
在有效質量近似框架內,採用絕熱近似,計算瞭在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自組織量子點繫統的電子結構和光學性質.計算錶明繫統的電子能級隨量子點受限勢的增大而升高,隨量子點呎吋的增大而降低,而且量子阱的寬度和量子點浸潤層厚度的增加也會導緻能級值有所降低.說明結構參數會使在阱中的量子點的光緻髮光峰波長髮生相應的藍移或紅移,與已知的實驗結果一緻.
재유효질량근사광가내,채용절열근사,계산료재양자정중GaN/AlxGa1-xN자조직양자점계통적전자결구화광학성질.계산표명계통적전자능급수양자점수한세적증대이승고,수양자점척촌적증대이강저,이차양자정적관도화양자점침윤층후도적증가야회도치능급치유소강저.설명결구삼수회사재정중적양자점적광치발광봉파장발생상응적람이혹홍이,여이지적실험결과일치.
