半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
5期
484-487
,共4页
王灵玲%桑文斌%闵嘉华%刘引烽%陈宗高%樊建荣
王靈玲%桑文斌%閔嘉華%劉引烽%陳宗高%樊建榮
왕령령%상문빈%민가화%류인봉%진종고%번건영
纳米微粒%掺铜ZnS%透射电镜%光致发光
納米微粒%摻銅ZnS%透射電鏡%光緻髮光
납미미립%참동ZnS%투사전경%광치발광
介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 ZnS纳米微粒.TEM图表明ZnS纳米微粒较均匀地分布在PVA衬底上,粒径在1～10nm,且具有类似体材料的立方结构.与未掺杂ZnS相比,掺铜ZnS的紫外-可见吸收光谱没有明显的变化;但PL光谱的发射峰却从450nm移到了480nm左右,这可能是由于ZnS的导带和ZnS禁带中铜的能级T2之间的跃迁造成的.
介紹瞭在聚乙烯醇襯底中利用離子絡閤法製備未摻雜和摻銅的 ZnS納米微粒.TEM圖錶明ZnS納米微粒較均勻地分佈在PVA襯底上,粒徑在1～10nm,且具有類似體材料的立方結構.與未摻雜ZnS相比,摻銅ZnS的紫外-可見吸收光譜沒有明顯的變化;但PL光譜的髮射峰卻從450nm移到瞭480nm左右,這可能是由于ZnS的導帶和ZnS禁帶中銅的能級T2之間的躍遷造成的.
개소료재취을희순츤저중이용리자락합법제비미참잡화참동적 ZnS납미미립.TEM도표명ZnS납미미립교균균지분포재PVA츤저상,립경재1～10nm,차구유유사체재료적립방결구.여미참잡ZnS상비,참동ZnS적자외-가견흡수광보몰유명현적변화;단PL광보적발사봉각종450nm이도료480nm좌우,저가능시유우ZnS적도대화ZnS금대중동적능급T2지간적약천조성적.
