固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
4期
449-453
,共5页
向杰%贾圣果%冯孙齐%俞大鹏
嚮傑%賈聖果%馮孫齊%俞大鵬
향걸%가골과%풍손제%유대붕
氧化镓%纳米线%纳米带%准一维纳米结构
氧化鎵%納米線%納米帶%準一維納米結構
양화가%납미선%납미대%준일유납미결구
纳米带是继纳米线、纳米管之后,最新报道的又一种准一维纳米结构.文中介绍了Ga2O 3纳米带制备的新方法.这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同.用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析,纳米带宽约500 nm,厚度约10 rnm,宽度/厚度比大于20.选区电子衍射(SAED)分析表明,产物是纯净的Ga2O3单晶.实验还发现了一些特殊形态的纳米结构,如纳米片等,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态.最后,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论.
納米帶是繼納米線、納米管之後,最新報道的又一種準一維納米結構.文中介紹瞭Ga2O 3納米帶製備的新方法.這種方法與首次報道的納米帶的生長方法有很大不同.用掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡對產物形貌進行瞭分析,納米帶寬約500 nm,厚度約10 rnm,寬度/厚度比大于20.選區電子衍射(SAED)分析錶明,產物是純淨的Ga2O3單晶.實驗還髮現瞭一些特殊形態的納米結構,如納米片等,證明瞭納米帶是一種常見併穩定存在的形態.最後,根據實驗現象對納米帶的生長機製進行瞭初步的分析與討論.
납미대시계납미선、납미관지후,최신보도적우일충준일유납미결구.문중개소료Ga2O 3납미대제비적신방법.저충방법여수차보도적납미대적생장방법유흔대불동.용소묘전자현미경화투사전자현미경대산물형모진행료분석,납미대관약500 nm,후도약10 rnm,관도/후도비대우20.선구전자연사(SAED)분석표명,산물시순정적Ga2O3단정.실험환발현료일사특수형태적납미결구,여납미편등,증명료납미대시일충상견병은정존재적형태.최후,근거실험현상대납미대적생장궤제진행료초보적분석여토론.
