物理学报
物理學報
물이학보
2002年
2期
310-314
,共5页
卢励吾%王占国%C.L.Yang%J.Wang%Z.H.Ma%I.K.Sou%Weikun Ge
盧勵吾%王佔國%C.L.Yang%J.Wang%Z.H.Ma%I.K.Sou%Weikun Ge
로려오%왕점국%C.L.Yang%J.Wang%Z.H.Ma%I.K.Sou%Weikun Ge
Ⅱ-Ⅵ半导体,自组织量子点,光、电特性
Ⅱ-Ⅵ半導體,自組織量子點,光、電特性
Ⅱ-Ⅵ반도체,자조직양자점,광、전특성
分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.
分彆應用光緻髮光、電容-電壓和深能級瞬態傅裏葉譜技術詳細研究ZnSe自組織量子點樣品的光學和電學行為.光緻髮光溫度關繫錶明ZnSe量子點的光緻髮光熱猝火過程機理.兩步猝火過程的理論較好模擬和解釋瞭相關的實驗數據.電容-電壓測量錶明樣品錶觀載流子積纍峰齣現的深度(樣品錶麵下約100nm處)大約是ZnSe量子點層的位置.深能級瞬態傅裏葉譜穫得的ZnSe量子點電子基態能級位置為ZnSe導帶下的0.11eV,這與ZnSe量子點光緻髮光熱猝火模型得到的結果一緻.
분별응용광치발광、전용-전압화심능급순태부리협보기술상세연구ZnSe자조직양자점양품적광학화전학행위.광치발광온도관계표명ZnSe양자점적광치발광열졸화과정궤리.량보졸화과정적이론교호모의화해석료상관적실험수거.전용-전압측량표명양품표관재류자적루봉출현적심도(양품표면하약100nm처)대약시ZnSe양자점층적위치.심능급순태부리협보획득적ZnSe양자점전자기태능급위치위ZnSe도대하적0.11eV,저여ZnSe양자점광치발광열졸화모형득도적결과일치.
