固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
1期
29-31,44
,共4页
韩德栋%张国强%余学峰%任迪远
韓德棟%張國彊%餘學峰%任迪遠
한덕동%장국강%여학봉%임적원
氟%金属-氧化物-半导体场效应晶体管%热载流子
氟%金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%熱載流子
불%금속-양화물-반도체장효응정체관%열재류자
研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化.分析讨论了F的抗热载流子损伤的机理.
研究瞭用註F工藝製作的短溝MOSFET的熱載流子效應.實驗結果錶明,在柵介質中註入適量的F能夠明顯地減小由熱載流子註入引起的閾電壓漂移、跨導退化和輸齣特性的變化.分析討論瞭F的抗熱載流子損傷的機理.
연구료용주F공예제작적단구MOSFET적열재류자효응.실험결과표명,재책개질중주입괄량적F능구명현지감소유열재류자주입인기적역전압표이、과도퇴화화수출특성적변화.분석토론료F적항열재류자손상적궤리.
