半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
10期
1329-1334
,共6页
新的体效应器件%体等离子体器件%雪崩等离子体%振荡源及磁敏器件
新的體效應器件%體等離子體器件%雪崩等離子體%振盪源及磁敏器件
신적체효응기건%체등리자체기건%설붕등리자체%진탕원급자민기건
报道了一种新的半导体体效应器件--体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1 2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途.
報道瞭一種新的半導體體效應器件--體等離子體器件,它是由很薄的高純GaAs層構成(1 2μm),在彊電場(大于200kV/cm)下產生雪崩擊穿,形成一箇由電子和空穴組成的等離子體,這一等離子體有較寬的等離子體振盪頻率,併彊烈地依賴于外磁場,因此可以做成振盪器及磁敏傳感器,有廣汎的用途.
보도료일충신적반도체체효응기건--체등리자체기건,타시유흔박적고순GaAs층구성(1 2μm),재강전장(대우200kV/cm)하산생설붕격천,형성일개유전자화공혈조성적등리자체,저일등리자체유교관적등리자체진탕빈솔,병강렬지의뢰우외자장,인차가이주성진탕기급자민전감기,유엄범적용도.
