核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2008年
12期
900-904
,共5页
武煜宇%刘金锋%孙柏%刘忠良%徐彭寿%陈秀芳%徐现刚
武煜宇%劉金鋒%孫柏%劉忠良%徐彭壽%陳秀芳%徐現剛
무욱우%류금봉%손백%류충량%서팽수%진수방%서현강
同步辐射%光电子能谱%欧姆接触%Mn/SiC
同步輻射%光電子能譜%歐姆接觸%Mn/SiC
동보복사%광전자능보%구모접촉%Mn/SiC
本文利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)对金属Mn在6H-SiC(0001)表面的生长模式和Mn/6H-SiC(0001)界面进行了研究.实验结果表明,常温下金属Mn在6H-SiC(0001)表面上表现为二维层状生长模式.随着金属Mn沉积膜厚的增加,样品表面金属性明显增强.沉积过程中,金属Mn并未与SiC衬底发生反应,界面间由于能带弯曲导致费米能级向下移动,并计算出肖特基势垒高度(SBH)大约为1.79eV.当沉积膜厚达到2 nm后,样品于250℃退火导致金属.Mn向衬底扩散,但未与衬底发生反应.样品于500℃退火后界面间形成Mn的硅化物.
本文利用同步輻射光電子能譜(SRPES)和X射線光電子能譜(XPS)對金屬Mn在6H-SiC(0001)錶麵的生長模式和Mn/6H-SiC(0001)界麵進行瞭研究.實驗結果錶明,常溫下金屬Mn在6H-SiC(0001)錶麵上錶現為二維層狀生長模式.隨著金屬Mn沉積膜厚的增加,樣品錶麵金屬性明顯增彊.沉積過程中,金屬Mn併未與SiC襯底髮生反應,界麵間由于能帶彎麯導緻費米能級嚮下移動,併計算齣肖特基勢壘高度(SBH)大約為1.79eV.噹沉積膜厚達到2 nm後,樣品于250℃退火導緻金屬.Mn嚮襯底擴散,但未與襯底髮生反應.樣品于500℃退火後界麵間形成Mn的硅化物.
본문이용동보복사광전자능보(SRPES)화X사선광전자능보(XPS)대금속Mn재6H-SiC(0001)표면적생장모식화Mn/6H-SiC(0001)계면진행료연구.실험결과표명,상온하금속Mn재6H-SiC(0001)표면상표현위이유층상생장모식.수착금속Mn침적막후적증가,양품표면금속성명현증강.침적과정중,금속Mn병미여SiC츤저발생반응,계면간유우능대만곡도치비미능급향하이동,병계산출초특기세루고도(SBH)대약위1.79eV.당침적막후체도2 nm후,양품우250℃퇴화도치금속.Mn향츤저확산,단미여츤저발생반응.양품우500℃퇴화후계면간형성Mn적규화물.
