科技导报
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과기도보
SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW
2011年
9期
76-79
,共4页
赵君芙%邵桂雪%李天保%梁建%许并社
趙君芙%邵桂雪%李天保%樑建%許併社
조군부%소계설%리천보%량건%허병사
GaN%IIA族金属掺杂%过渡族掺杂%稀土掺杂%光致发光
GaN%IIA族金屬摻雜%過渡族摻雜%稀土摻雜%光緻髮光
GaN%IIA족금속참잡%과도족참잡%희토참잡%광치발광
由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点.本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点.
由于GaN材料本身具有的極大優越性,如大禁帶寬度、高臨界場彊、高熱導率、高載流子飽和速率、高異質結界麵二維電子氣濃度等,決定瞭GaN基材料及其器件在髮光半導體材料領域中的重要地位,而高質量GaN的摻雜製備一直是研究者關註的熱點.本文根據近幾年國內外對摻雜GaN基材料的研究成果,總結概括瞭IIA族、過渡族以及稀土族元素對GaN的摻雜,分析討論瞭不同摻雜元素對GaN基材料髮光性能的影響,併以Mg摻雜GaN為例,對比瞭各種摻雜技術的優缺點.
유우GaN재료본신구유적겁대우월성,여대금대관도、고림계장강、고열도솔、고재류자포화속솔、고이질결계면이유전자기농도등,결정료GaN기재료급기기건재발광반도체재료영역중적중요지위,이고질량GaN적참잡제비일직시연구자관주적열점.본문근거근궤년국내외대참잡GaN기재료적연구성과,총결개괄료IIA족、과도족이급희토족원소대GaN적참잡,분석토론료불동참잡원소대GaN기재료발광성능적영향,병이Mg참잡GaN위례,대비료각충참잡기술적우결점.
