半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2001年
5期
365-368
,共4页
苏红兵%陈庭金%施兆顺%涂洁磊%张跃
囌紅兵%陳庭金%施兆順%塗潔磊%張躍
소홍병%진정금%시조순%도길뢰%장약
电化学沉积%GaAs薄膜%化学计量比%太阳电池
電化學沉積%GaAs薄膜%化學計量比%太暘電池
전화학침적%GaAs박막%화학계량비%태양전지
研究了电化学沉积GaAs薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs薄膜成分的影响,并通过正交实验调节这些化学沉积参数,得到了化学计量比接近1∶1的GaAs薄膜以及电化学沉积GaAs薄膜的最佳参数范围,为获得实用的GaAs薄膜材料打下了基础.
研究瞭電化學沉積GaAs薄膜的條件以及電化學沉積參數對GaAs薄膜成分的影響,併通過正交實驗調節這些化學沉積參數,得到瞭化學計量比接近1∶1的GaAs薄膜以及電化學沉積GaAs薄膜的最佳參數範圍,為穫得實用的GaAs薄膜材料打下瞭基礎.
연구료전화학침적GaAs박막적조건이급전화학침적삼수대GaAs박막성분적영향,병통과정교실험조절저사화학침적삼수,득도료화학계량비접근1∶1적GaAs박막이급전화학침적GaAs박막적최가삼수범위,위획득실용적GaAs박막재료타하료기출.
