物理学报
物理學報
물이학보
2004年
10期
3498-3503
,共6页
冉广照%陈源%陈开茅%张晓岚%刘鸿飞
冉廣照%陳源%陳開茅%張曉嵐%劉鴻飛
염엄조%진원%진개모%장효람%류홍비
C70%深能级%恒温电容瞬态
C70%深能級%恆溫電容瞬態
C70%심능급%항온전용순태
发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱,H1和H2,它们的能级位置分别为Ev+0.856 eV和Ev+1.037 eV.
髮展瞭恆溫電容瞬態數據處理方法,稱新方法為恆溫電容瞬態時間積譜(ICTTS).用ICTTS方法測量分析瞭C70固體/p-GaAs異質結的深能級,結果髮現在C70固體中存在兩箇很深的空穴陷阱,H1和H2,它們的能級位置分彆為Ev+0.856 eV和Ev+1.037 eV.
발전료항온전용순태수거처리방법,칭신방법위항온전용순태시간적보(ICTTS).용ICTTS방법측량분석료C70고체/p-GaAs이질결적심능급,결과발현재C70고체중존재량개흔심적공혈함정,H1화H2,타문적능급위치분별위Ev+0.856 eV화Ev+1.037 eV.
