薄膜厚度对ZnO:Ga透明导电膜性能的影响
박막후도대ZnO:Ga투명도전막성능적영향
Thickness dependence of properties of ZnO: Ga films deposited by r.f. magnetron sputtering
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2005年 2期 241-243 ,共3页

    余旭浒%马瑾%计峰%王玉恒%张锡健%程传福%马洪磊

    여욱호%마근%계봉%왕옥항%장석건%정전복%마홍뢰

    磁控溅射%ZnO:Ga%薄膜厚度%光电性质 磁控濺射%ZnO:Ga%薄膜厚度%光電性質
    자공천사%ZnO:Ga%박막후도%광전성질
    采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
    채용사빈자공천사법재파리츤저상저온제비출가참잡양화자(ZnO:Ga)투명도전막,연구료박막적결구、전학화광학성질수박막후도적변화관계.제비적ZnO:Ga시구유륙각섬자광결구적다정박막,최가택우취향위(002)방향.수착박막후도적증가,연사봉명현증강,정립증대.박막적최저전조솔위3.9×10-4Ω·cm,재가견광범위내평균투과솔체도료85%이상.
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