半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
2期
381-386
,共6页
吴顶和%沈萌%邵雪峰%俞宏坤
吳頂和%瀋萌%邵雪峰%俞宏坤
오정화%침맹%소설봉%유굉곤
电过应力%失效分析%MOSFET%芯片焊接%工艺优化
電過應力%失效分析%MOSFET%芯片銲接%工藝優化
전과응력%실효분석%MOSFET%심편한접%공예우화
为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及町靠性加速实验,确定了器件发生EOS失效的根本原因,并通过优化芯片焊接温度.时间曲线和利用开式感应负载测试方法,比较了工艺优化前、后器件抗EOS的能力,结果表明优化后器件的焊料空洞含量显著减少,抗EOS能力得到明显提高.
為瞭研究電過應力對功率MOSFET可靠性的影響,分彆對含有銲料空洞、柵極開路和芯片裂紋缺陷的器件進行失效分析與可靠性研究.利用有限元分析、電路模擬及町靠性加速實驗,確定瞭器件髮生EOS失效的根本原因,併通過優化芯片銲接溫度.時間麯線和利用開式感應負載測試方法,比較瞭工藝優化前、後器件抗EOS的能力,結果錶明優化後器件的銲料空洞含量顯著減少,抗EOS能力得到明顯提高.
위료연구전과응력대공솔MOSFET가고성적영향,분별대함유한료공동、책겁개로화심편렬문결함적기건진행실효분석여가고성연구.이용유한원분석、전로모의급정고성가속실험,학정료기건발생EOS실효적근본원인,병통과우화심편한접온도.시간곡선화이용개식감응부재측시방법,비교료공예우화전、후기건항EOS적능력,결과표명우화후기건적한료공동함량현저감소,항EOS능력득도명현제고.
