微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
3期
293-296
,共4页
周述涛%肖坤光%王育新%徐鸣远%朱粲
週述濤%肖坤光%王育新%徐鳴遠%硃粲
주술도%초곤광%왕육신%서명원%주찬
A/D转换器%采样/保持电路%开关电容电路%CMOS工艺
A/D轉換器%採樣/保持電路%開關電容電路%CMOS工藝
A/D전환기%채양/보지전로%개관전용전로%CMOS공예
介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路.电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽.经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80 MSPS、输入信号(Vpp)为2 V、电源电压3 V时,最大谐波失真为-90 dB.该电路应用于一款80 MSPS 14位流水线结构A/D转换器.测试结果显示:A/D转换器的DNL为0.8/-0.9 LSB,INL为3.1/-3.7 LSB,SNR为70.2 dB,SFDR为89.3 dB.
介紹瞭一種採用0.35 μm CMOS工藝的開關電容結構採樣/保持電路.電路採用差分單位增益結構,通過時序控製,降低瞭溝道註入電荷的影響;採用摺疊共源共柵增益增彊結構放大器,穫得瞭要求的增益和帶寬.經過電路模擬倣真,採樣/保持電路在80 MSPS、輸入信號(Vpp)為2 V、電源電壓3 V時,最大諧波失真為-90 dB.該電路應用于一款80 MSPS 14位流水線結構A/D轉換器.測試結果顯示:A/D轉換器的DNL為0.8/-0.9 LSB,INL為3.1/-3.7 LSB,SNR為70.2 dB,SFDR為89.3 dB.
개소료일충채용0.35 μm CMOS공예적개관전용결구채양/보지전로.전로채용차분단위증익결구,통과시서공제,강저료구도주입전하적영향;채용절첩공원공책증익증강결구방대기,획득료요구적증익화대관.경과전로모의방진,채양/보지전로재80 MSPS、수입신호(Vpp)위2 V、전원전압3 V시,최대해파실진위-90 dB.해전로응용우일관80 MSPS 14위류수선결구A/D전환기.측시결과현시:A/D전환기적DNL위0.8/-0.9 LSB,INL위3.1/-3.7 LSB,SNR위70.2 dB,SFDR위89.3 dB.
