常熟理工学院学报
常熟理工學院學報
상숙리공학원학보
JOURNAL OF CHANGSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2010年
4期
71-75
,共5页
电沉积%硫化镉%光电催化%甲基橙
電沉積%硫化鎘%光電催化%甲基橙
전침적%류화력%광전최화%갑기등
以氯化镉和硫代硫酸钠溶液为电解液,应用循环伏安法,直接在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面电沉积制得硫化镉(CdS)纳米粒子.采用扫描电镜(SEM)和紫外一可见吸收光谱对制得的硫化镉的形状、大小、密度进行表征.在电镀液为0.1MCdCl2和0.02MNa2S2O3,电位范围为-0.2V～-0.8V.沉积40圈,温度50℃条件下,制得的CdS纳米粒子大小均匀,分散性好,平均粒径约为60nm,并用制得的ITO/CdS电极研究了对甲基橙溶液(MeO)的光电催化性能.结果表明,光照条件下,电流增加1约62%.
以氯化鎘和硫代硫痠鈉溶液為電解液,應用循環伏安法,直接在氧化銦錫(ITO)導電玻璃錶麵電沉積製得硫化鎘(CdS)納米粒子.採用掃描電鏡(SEM)和紫外一可見吸收光譜對製得的硫化鎘的形狀、大小、密度進行錶徵.在電鍍液為0.1MCdCl2和0.02MNa2S2O3,電位範圍為-0.2V～-0.8V.沉積40圈,溫度50℃條件下,製得的CdS納米粒子大小均勻,分散性好,平均粒徑約為60nm,併用製得的ITO/CdS電極研究瞭對甲基橙溶液(MeO)的光電催化性能.結果錶明,光照條件下,電流增加1約62%.
이록화력화류대류산납용액위전해액,응용순배복안법,직접재양화인석(ITO)도전파리표면전침적제득류화력(CdS)납미입자.채용소묘전경(SEM)화자외일가견흡수광보대제득적류화력적형상、대소、밀도진행표정.재전도액위0.1MCdCl2화0.02MNa2S2O3,전위범위위-0.2V～-0.8V.침적40권,온도50℃조건하,제득적CdS납미입자대소균균,분산성호,평균립경약위60nm,병용제득적ITO/CdS전겁연구료대갑기등용액(MeO)적광전최화성능.결과표명,광조조건하,전류증가1약62%.
