电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
8期
14-17
,共4页
压电陶瓷%PMMNS%低温烧结%机电性能
壓電陶瓷%PMMNS%低溫燒結%機電性能
압전도자%PMMNS%저온소결%궤전성능
采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响.结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷.SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度.当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323 pC/N,Qm=1475,tanδ=0.003 8和εr=1762.
採用固相二步閤成法製備SiO2摻雜Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)壓電陶瓷,探討瞭不同SiO2摻雜量對陶瓷樣品的相結構和機電性能的影響.結果錶明:在燒結溫度為980℃時,可以得到純鈣鈦礦結構PMMNS陶瓷.SiO2的加入,明顯降低瞭PMMNS陶瓷的燒結溫度.噹SiO2的摻雜量為質量分數0.10%時,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323 pC/N,Qm=1475,tanδ=0.003 8和εr=1762.
채용고상이보합성법제비SiO2참잡Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)압전도자,탐토료불동SiO2참잡량대도자양품적상결구화궤전성능적영향.결과표명:재소결온도위980℃시,가이득도순개태광결구PMMNS도자.SiO2적가입,명현강저료PMMNS도자적소결온도.당SiO2적참잡량위질량분수0.10%시,소득성능최가:kp=0.51,d33=323 pC/N,Qm=1475,tanδ=0.003 8화εr=1762.
