功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2011年
3期
313-318
,共6页
MEMS%光刻%多掩膜%体硅工艺
MEMS%光刻%多掩膜%體硅工藝
MEMS%광각%다엄막%체규공예
本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photoresist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺.
本文提齣瞭一種新穎的MEMS多掩膜工藝,實現瞭帶有大檯階和大深寬比窄槽的襯底上的體硅精細加工.通過薄膠多次光刻在襯底上製作齣氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻膠(photoresist,PR)等材料的多層掩膜圖形,每層掩膜可以進行一次襯底刻蝕或腐蝕,刻蝕或腐蝕完畢後去除該層掩膜.該工藝解決瞭MEMS工藝中的深坑塗膠和光刻問題,結閤深反應離子刻蝕(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、濕法腐蝕等工藝可以用于多級檯階、深坑底部精細結構、微結構釋放等MEMS工藝.
본문제출료일충신영적MEMS다엄막공예,실현료대유대태계화대심관비착조적츤저상적체규정세가공.통과박효다차광각재츤저상제작출양화규(SiO2)、담화규(Si3N4)、광각효(photoresist,PR)등재료적다층엄막도형,매층엄막가이진행일차츤저각식혹부식,각식혹부식완필후거제해층엄막.해공예해결료MEMS공예중적심갱도효화광각문제,결합심반응리자각식(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、습법부식등공예가이용우다급태계、심갱저부정세결구、미결구석방등MEMS공예.
