电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2011年
6期
512-516
,共5页
GaN%Si衬底%位错%TEM
GaN%Si襯底%位錯%TEM
GaN%Si츤저%위착%TEM
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究.结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系；材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错；样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量.
本文採用高分辨透射電子顯微技術對在Si襯底生長的GaN基多量子阱外延材料的位錯特徵、外延層與襯底的晶體取嚮關繫及界麵的結晶形態等微觀結構進行瞭分析和研究.結果錶明:Si襯底生長的GaN與襯底有一定的取嚮關繫；材料在MQW附近的穿透位錯密度達108 cm-2量級,且多數為刃型位錯；樣品A的多量子阱下方可見平行于界麵方嚮的位錯,本文認為這可能是由于AlN/Si界麵上的SixNy形成的多孔形態促使外延層進行側嚮生長,使位錯在高溫GaN層沿橫嚮彎麯所緻,這樣可進一步降低穿過量子阱的位錯密度,有利于提高材料質量.
본문채용고분변투사전자현미기술대재Si츤저생장적GaN기다양자정외연재료적위착특정、외연층여츤저적정체취향관계급계면적결정형태등미관결구진행료분석화연구.결과표명:Si츤저생장적GaN여츤저유일정적취향관계；재료재MQW부근적천투위착밀도체108 cm-2량급,차다수위인형위착；양품A적다양자정하방가견평행우계면방향적위착,본문인위저가능시유우AlN/Si계면상적SixNy형성적다공형태촉사외연층진행측향생장,사위착재고온GaN층연횡향만곡소치,저양가진일보강저천과양자정적위착밀도,유리우제고재료질량.
