半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
7期
726-728
,共3页
王晓晖%刘祥林%陆大成%袁海荣%韩培德%汪度
王曉暉%劉祥林%陸大成%袁海榮%韓培德%汪度
왕효휘%류상림%륙대성%원해영%한배덕%왕도
单量子阱%绿光LED%MOVPE
單量子阱%綠光LED%MOVPE
단양자정%록광LED%MOVPE
采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增.
採用金屬有機物氣相外延方法,研製瞭InGaN/GaN單量子阱結構的綠光髮光二極管.測量瞭其電緻髮光光譜,及髮光彊度與註入電流的關繫.室溫20mA的註入電流時,髮光波長峰值為530nm,半高寬為30nm.註入電流小于40mA時,髮光彊度隨註入電流單調遞增.
채용금속유궤물기상외연방법,연제료InGaN/GaN단양자정결구적록광발광이겁관.측량료기전치발광광보,급발광강도여주입전류적관계.실온20mA적주입전류시,발광파장봉치위530nm,반고관위30nm.주입전류소우40mA시,발광강도수주입전류단조체증.
