人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
3期
466-470
,共5页
吴洁君%韩修训%李杰民%黎大兵%魏宏远%康亭亭%王晓晖%刘祥林%王占国
吳潔君%韓脩訓%李傑民%黎大兵%魏宏遠%康亭亭%王曉暉%劉祥林%王佔國
오길군%한수훈%리걸민%려대병%위굉원%강정정%왕효휘%류상림%왕점국
缓冲层厚度%GaN%蓝宝石衬底%MOCVD
緩遲層厚度%GaN%藍寶石襯底%MOCVD
완충층후도%GaN%람보석츤저%MOCVD
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
本文研究瞭低溫GaN(LT-GaN)緩遲層錶麵形貌,其隨厚度的變化規律及對隨後生長GaN外延膜各項性能的影響.用場髮射掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)研究LT-GaN緩遲層錶麵形貌,髮現隨著厚度的增加,其錶麵由疏鬆、粗糙變得緻密、平整,六角GaN小晶粒的數量減少,且取嚮較為一緻.用X光雙晶衍射(XRD)、AFM和Hall測量研究1μm厚本徵GaN外延薄膜的結晶質量、錶麵粗糙度、揹底載流子濃度和遷移率等性能,髮現隨著LT-GaN緩遲層厚度的增加:XRD的半高寬FWHMs增大,錶麵粗糙度先減小後又略有增大,揹底載流子濃度則隨之減少,而遷移率的變化則不明顯.通過分析進一步確認LT-GaN緩遲層的最優生長時間.
본문연구료저온GaN(LT-GaN)완충층표면형모,기수후도적변화규률급대수후생장GaN외연막각항성능적영향.용장발사소묘전경(SEM)화원자력현미경(AFM)연구LT-GaN완충층표면형모,발현수착후도적증가,기표면유소송、조조변득치밀、평정,륙각GaN소정립적수량감소,차취향교위일치.용X광쌍정연사(XRD)、AFM화Hall측량연구1μm후본정GaN외연박막적결정질량、표면조조도、배저재류자농도화천이솔등성능,발현수착LT-GaN완충층후도적증가:XRD적반고관FWHMs증대,표면조조도선감소후우략유증대,배저재류자농도칙수지감소,이천이솔적변화칙불명현.통과분석진일보학인LT-GaN완충층적최우생장시간.
