固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
4期
469-474
,共6页
改性高电子迁移率晶体管%计算机辅助设计优化%异质层结构参数%二维电子气
改性高電子遷移率晶體管%計算機輔助設計優化%異質層結構參數%二維電子氣
개성고전자천이솔정체관%계산궤보조설계우화%이질층결구삼수%이유전자기
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式.在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数.模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力.验证性的1 μm×200 μm MHEMT取得的fT＝30 GHz、fmax＝170 GHz的结果佐证了理论分析的正确性.
討論瞭針對GaAs基改性高電子遷移率晶體管(MHEMT)的異質層結構參數的設計優化方法,詳細給齣瞭有關的設計步驟與公式.在數值分析與比較的基礎上,併綜閤攷慮材料生長與器件工藝的簡便性,得到一組優化的MHEMT異質層結構設計參數.模擬所得的器件DC與RF特性充分顯示其在功率與低譟聲應用上的巨大潛力.驗證性的1 μm×200 μm MHEMT取得的fT＝30 GHz、fmax＝170 GHz的結果佐證瞭理論分析的正確性.
토론료침대GaAs기개성고전자천이솔정체관(MHEMT)적이질층결구삼수적설계우화방법,상세급출료유관적설계보취여공식.재수치분석여비교적기출상,병종합고필재료생장여기건공예적간편성,득도일조우화적MHEMT이질층결구설계삼수.모의소득적기건DC여RF특성충분현시기재공솔여저조성응용상적거대잠력.험증성적1 μm×200 μm MHEMT취득적fT＝30 GHz、fmax＝170 GHz적결과좌증료이론분석적정학성.
