CAJ | 학술논문

根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明, 在HF wt%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F wt%的增大而上升;NH4F大于15wt%～20wt%以后,腐蚀速率反而随之降低.值得注意的是,干氧SiO2同湿氧SiO2相比,在1wt% HF条件下,前者的腐蚀速率要比后者高,直到HF酸浓度大于3wt%时,前者的腐蚀速率才低于后者,这一现象可用NH+4 阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释.
근거대참삼록을희(TCE)간양양화적SiO2재불동배비경불산완충부식액(BHF)중적부식특성적연구결과표명, 재HF wt%보지불변적조건하,부식속솔선수착NH4F wt%적증대이상승;NH4F대우15wt%～20wt%이후,부식속솔반이수지강저.치득주의적시,간양SiO2동습양SiO2상비,재1wt% HF조건하,전자적부식속솔요비후자고,직도HF산농도대우3wt%시,전자적부식속솔재저우후자,저일현상가용NH+4 조당모형결합TCE재SiO2중인입천전자함정적방식득도해석.