人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
2期
501-505
,共5页
贾婷婷%林辉%滕浩%侯肖瑞%王军%周圣明
賈婷婷%林輝%滕浩%侯肖瑞%王軍%週聖明
가정정%림휘%등호%후초서%왕군%주골명
氮化镓%HVPE%蓝宝石%碳化硅%铝酸锂
氮化鎵%HVPE%藍寶石%碳化硅%鋁痠鋰
담화가%HVPE%람보석%탄화규%려산리
氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段.氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法.衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向.
氮化鎵基(GaN)光電器件的快速髮展,對GaN的質量提齣更高的要求,同質外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生長是解決GaN體材料生長睏難的有效手段.氫化物氣相外延(HVPE)是目前最普遍的製備氮化鎵厚膜的方法.襯底對于GaN厚膜的影響不可忽視,本文總結瞭在藍寶石、碳化硅和鋁痠鋰襯底上製備GaN厚膜的研究進展,討論瞭今後的研究方嚮.
담화가기(GaN)광전기건적쾌속발전,대GaN적질량제출경고적요구,동질외연가이피면유우실배인기적결함,후막생장시해결GaN체재료생장곤난적유효수단.경화물기상외연(HVPE)시목전최보편적제비담화가후막적방법.츤저대우GaN후막적영향불가홀시,본문총결료재람보석、탄화규화려산리츤저상제비GaN후막적연구진전,토론료금후적연구방향.
