微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
10期
606-609
,共4页
成传品%邓永和%戴雄英%肖刚
成傳品%鄧永和%戴雄英%肖剛
성전품%산영화%대웅영%초강
溶胶-凝胶%铁电薄膜%退火%铁电性能%结晶度
溶膠-凝膠%鐵電薄膜%退火%鐵電性能%結晶度
용효-응효%철전박막%퇴화%철전성능%결정도
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积了Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)铁电薄膜,研究了在不同退火温度下形成的BYT薄膜的微观结构以及铁电性能方面的区别.结果发现,在610,660,710和760℃不同温度下退火的BYT薄膜的结晶度不同,退火温度越高的BYT薄膜,其结晶度越高.并且发现,BYT薄膜的剩余极化值(2Pr)在710℃以下随退火温度增高而增大,在710℃达到最大;在外加400 kV/cm电场时2Pr为36.7μC/cm2,然后随退火温度上升又有所下降.
採用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上澱積瞭Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)鐵電薄膜,研究瞭在不同退火溫度下形成的BYT薄膜的微觀結構以及鐵電性能方麵的區彆.結果髮現,在610,660,710和760℃不同溫度下退火的BYT薄膜的結晶度不同,退火溫度越高的BYT薄膜,其結晶度越高.併且髮現,BYT薄膜的剩餘極化值(2Pr)在710℃以下隨退火溫度增高而增大,在710℃達到最大;在外加400 kV/cm電場時2Pr為36.7μC/cm2,然後隨退火溫度上升又有所下降.
채용용효-응효(Sol-Gel)법재Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)기편상정적료Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)철전박막,연구료재불동퇴화온도하형성적BYT박막적미관결구이급철전성능방면적구별.결과발현,재610,660,710화760℃불동온도하퇴화적BYT박막적결정도불동,퇴화온도월고적BYT박막,기결정도월고.병차발현,BYT박막적잉여겁화치(2Pr)재710℃이하수퇴화온도증고이증대,재710℃체도최대;재외가400 kV/cm전장시2Pr위36.7μC/cm2,연후수퇴화온도상승우유소하강.
