半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
3期
530-535
,共6页
杨晶晶%何秀坤%曹全喜%施亚申
楊晶晶%何秀坤%曹全喜%施亞申
양정정%하수곤%조전희%시아신
自由载流子浓度%FCCS%施主%受主%补偿度%分布函数
自由載流子濃度%FCCS%施主%受主%補償度%分佈函數
자유재류자농도%FCCS%시주%수주%보상도%분포함수
测试了国产和美国Cree公司生产的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级.实验结果表明:杂质浓度和补偿度对低温下SiC的电性能有很大影响,轻度补偿的掺氮6H-SiC是施主氮的两个能级共同起作用;而重度补偿的6H-SiC在低温时则是受主能级起作用,并且后者迁移率随温度变化曲线的峰值降低并右移.同时发现重度补偿的SiC在较低温度时由n型转变成了p型,并从理论上分析了产生这种现象的原因.
測試瞭國產和美國Cree公司生產的n型6H-SiC低溫下的電學參數,包括電阻率、遷移率和自由載流子濃度,併用FCCS軟件數據擬閤分析得到兩種SiC的雜質濃度和能級.實驗結果錶明:雜質濃度和補償度對低溫下SiC的電性能有很大影響,輕度補償的摻氮6H-SiC是施主氮的兩箇能級共同起作用;而重度補償的6H-SiC在低溫時則是受主能級起作用,併且後者遷移率隨溫度變化麯線的峰值降低併右移.同時髮現重度補償的SiC在較低溫度時由n型轉變成瞭p型,併從理論上分析瞭產生這種現象的原因.
측시료국산화미국Cree공사생산적n형6H-SiC저온하적전학삼수,포괄전조솔、천이솔화자유재류자농도,병용FCCS연건수거의합분석득도량충SiC적잡질농도화능급.실험결과표명:잡질농도화보상도대저온하SiC적전성능유흔대영향,경도보상적참담6H-SiC시시주담적량개능급공동기작용;이중도보상적6H-SiC재저온시칙시수주능급기작용,병차후자천이솔수온도변화곡선적봉치강저병우이.동시발현중도보상적SiC재교저온도시유n형전변성료p형,병종이론상분석료산생저충현상적원인.
