激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2006年
6期
601-604
,共4页
激光技术%SiO2%刻蚀%光子晶体光纤
激光技術%SiO2%刻蝕%光子晶體光纖
격광기술%SiO2%각식%광자정체광섬
为了研究157 nm激光对SiO2材料的加工特性,用157 nm激光刻蚀晶体光纤的端面,以晶体光纤的微孔轮廓作为参照,对刻蚀深度和烧蚀程度进行定量地分析.157 nm激光的光子能量达7.9eV,能够被SiO2强烈地吸收,会在SiO2上诱导出点缺陷结构,产生大量的种子电子.同时光纤SiO2材料的掺杂使157 nm激光损伤的阈值大大降低,实际加工速率达210 nm/脉冲.结果表明,由于单光子雪崩电离吸收的速率远高于高阶多光子吸收的速率,所以157 nm激光对SiO2材料损伤的主要机理是单光子雪崩电离吸收过程,破坏其分别占一半的离子键和共价键.在刻蚀过程中会产生热量,但由于损伤产生的时间仅20 ns,形成的热影响区很小,故可得到较高的加工质量.
為瞭研究157 nm激光對SiO2材料的加工特性,用157 nm激光刻蝕晶體光纖的耑麵,以晶體光纖的微孔輪廓作為參照,對刻蝕深度和燒蝕程度進行定量地分析.157 nm激光的光子能量達7.9eV,能夠被SiO2彊烈地吸收,會在SiO2上誘導齣點缺陷結構,產生大量的種子電子.同時光纖SiO2材料的摻雜使157 nm激光損傷的閾值大大降低,實際加工速率達210 nm/脈遲.結果錶明,由于單光子雪崩電離吸收的速率遠高于高階多光子吸收的速率,所以157 nm激光對SiO2材料損傷的主要機理是單光子雪崩電離吸收過程,破壞其分彆佔一半的離子鍵和共價鍵.在刻蝕過程中會產生熱量,但由于損傷產生的時間僅20 ns,形成的熱影響區很小,故可得到較高的加工質量.
위료연구157 nm격광대SiO2재료적가공특성,용157 nm격광각식정체광섬적단면,이정체광섬적미공륜곽작위삼조,대각식심도화소식정도진행정량지분석.157 nm격광적광자능량체7.9eV,능구피SiO2강렬지흡수,회재SiO2상유도출점결함결구,산생대량적충자전자.동시광섬SiO2재료적참잡사157 nm격광손상적역치대대강저,실제가공속솔체210 nm/맥충.결과표명,유우단광자설붕전리흡수적속솔원고우고계다광자흡수적속솔,소이157 nm격광대SiO2재료손상적주요궤리시단광자설붕전리흡수과정,파배기분별점일반적리자건화공개건.재각식과정중회산생열량,단유우손상산생적시간부20 ns,형성적열영향구흔소,고가득도교고적가공질량.
