CAJ | 학술논문

国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100 ℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响.结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关.
국내수차이용고원분자속외연(MBE)기술,재츤저온도위1100 ℃시,이Si(111)위츤저성공지외연생장출료3C-SiC단정박막.통과X사선연사(XRD)、랍만광보(Raman)이급원위반사고능전자연사(RHEED)등수단연구료외연박막적정형、결정질량、외연막여츤저적외연취향관계,병고찰료박막제비과정중츤저적탄화대박막질량적영향.결과표명,외연막여츤저정격취향완전일치;탄화가이감소SiC화츤저Si지간적정격실배、석방응력、인입성핵중심,유리우박막단정질량적제고;탄화온도존재최가치,저일현상여성핵과정유관.