光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2008年
4期
748-751
,共4页
聂国政%邹代峰%杨兵初%李宏建
聶國政%鄒代峰%楊兵初%李宏建
섭국정%추대봉%양병초%리굉건
N掺杂非晶C薄膜%光学性质%俄歇电子能谱%电子结构
N摻雜非晶C薄膜%光學性質%俄歇電子能譜%電子結構
N참잡비정C박막%광학성질%아헐전자능보%전자결구
用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-c:N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测.结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大.而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小.参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成.所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能.
用直流磁控濺射法製備瞭非晶C薄膜及N摻雜非晶C(a-c:N)薄膜,用紫外-可見分光光譜儀、橢圓偏振儀、俄歇電子能譜(AES)等對薄膜進行瞭檢測.結果錶明:隨源氣體中N氣含量的增加,透過率和摺射率變小,而光學帶隙先增大後減小;噹薄膜中N的含量很少,N的摻入對sp3雜化C起穩定作用,使得薄膜光學帶隙Eg增大.而較高量N的摻入抑製瞭sp3雜化C的形成,提高瞭薄膜中sp2鍵含量,使得薄膜光學帶隙變小.參數D定義為俄歇電子能譜(AES)中最大正峰和最低負峰之間的距離,用俄歇電子能譜中的D值來計算薄膜的sp2鍵的百分含量,俄歇電子能譜(AES)錶徵也錶明:較高量的N的摻入抑製瞭sp3雜化C的形成.所以應該攷慮在較低N分壓條件下摻N來改善非晶C薄膜的光學性能.
용직류자공천사법제비료비정C박막급N참잡비정C(a-c:N)박막,용자외-가견분광광보의、타원편진의、아헐전자능보(AES)등대박막진행료검측.결과표명:수원기체중N기함량적증가,투과솔화절사솔변소,이광학대극선증대후감소;당박막중N적함량흔소,N적참입대sp3잡화C기은정작용,사득박막광학대극Eg증대.이교고량N적참입억제료sp3잡화C적형성,제고료박막중sp2건함량,사득박막광학대극변소.삼수D정의위아헐전자능보(AES)중최대정봉화최저부봉지간적거리,용아헐전자능보중적D치래계산박막적sp2건적백분함량,아헐전자능보(AES)표정야표명:교고량적N적참입억제료sp3잡화C적형성.소이응해고필재교저N분압조건하참N래개선비정C박막적광학성능.
