电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2009年
1期
62-67
,共6页
徐宗伟%房丰洲%张少婧%陈耘辉
徐宗偉%房豐洲%張少婧%陳耘輝
서종위%방봉주%장소청%진운휘
聚焦离子束(FIB)%离子注入%气体辅助刻蚀(GAE)%微结构
聚焦離子束(FIB)%離子註入%氣體輔助刻蝕(GAE)%微結構
취초리자속(FIB)%리자주입%기체보조각식(GAE)%미결구
提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assistedetching,GAE)相结合的微纳加工技术.通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系.当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10～15nm的纳米颗粒层.以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(FIB-GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等.结果表明该方法灵活高效,很有发展前途.
提齣瞭聚焦離子束註入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦離子束XeF2氣體輔助刻蝕(gas assistedetching,GAE)相結閤的微納加工技術.通過掃描電鏡觀察FIBI橫截麵研究瞭聚焦離子束加工參數與離子註入深度的關繫.噹鎵離子劑量大于1.4×1017ion/cm2時,聚焦離子束註入層中觀察到均勻分佈、直徑10～15nm的納米顆粒層.以此作為XeF2氣體反應的掩膜,利用聚焦離子束XeF2氣體輔助刻蝕(FIB-GAE)技術實現瞭多種微納米級結構和器件加工,如納米光柵、納米電極和微正絃結構等.結果錶明該方法靈活高效,很有髮展前途.
제출료취초리자속주입(focused ion beam implantation,FIBI)화취초리자속XeF2기체보조각식(gas assistedetching,GAE)상결합적미납가공기술.통과소묘전경관찰FIBI횡절면연구료취초리자속가공삼수여리자주입심도적관계.당가리자제량대우1.4×1017ion/cm2시,취초리자속주입층중관찰도균균분포、직경10～15nm적납미과립층.이차작위XeF2기체반응적엄막,이용취초리자속XeF2기체보조각식(FIB-GAE)기술실현료다충미납미급결구화기건가공,여납미광책、납미전겁화미정현결구등.결과표명해방법령활고효,흔유발전전도.
