固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
2期
310-314
,共5页
王德君%李剑%朱巧智%秦福文%宋世巍
王德君%李劍%硃巧智%秦福文%宋世巍
왕덕군%리검%주교지%진복문%송세외
二氧化硅/碳化硅界面%金属氧化物半导体电窖%氮等离子体%界面态密度
二氧化硅/碳化硅界麵%金屬氧化物半導體電窖%氮等離子體%界麵態密度
이양화규/탄화규계면%금속양화물반도체전교%담등리자체%계면태밀도
降低SiO2/SiC界面态密度是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96 MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70 eV.同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV.实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性.
降低SiO2/SiC界麵態密度是SiC MOS器件研究中的關鍵技術問題.採用氮等離子體處理SiO2/SiC界麵,製作MOS電容後通過I-V、C-V測試進行氧化膜可靠性及界麵特性評價,穫得的氧化膜擊穿場彊約為9.96 MV/cm,SiO2/SiC勢壘高度2.70 eV.同時在費米能級附近SiO2/SiC的界麵態密度低減至2.27×1012cm-2eV.實驗結果錶明,氮等離子體處理SiO2/SiC界麵後能有效降低界麵態密度,改善MOS界麵特性.
강저SiO2/SiC계면태밀도시SiC MOS기건연구중적관건기술문제.채용담등리자체처리SiO2/SiC계면,제작MOS전용후통과I-V、C-V측시진행양화막가고성급계면특성평개,획득적양화막격천장강약위9.96 MV/cm,SiO2/SiC세루고도2.70 eV.동시재비미능급부근SiO2/SiC적계면태밀도저감지2.27×1012cm-2eV.실험결과표명,담등리자체처리SiO2/SiC계면후능유효강저계면태밀도,개선MOS계면특성.
