量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2010年
6期
711-715
,共5页
吴海信%黄飞%倪友保%王振友%陈林%程干超
吳海信%黃飛%倪友保%王振友%陳林%程榦超
오해신%황비%예우보%왕진우%진림%정간초
材料%CdSe%温度梯度熔体区熔法%单晶生长%非线性
材料%CdSe%溫度梯度鎔體區鎔法%單晶生長%非線性
재료%CdSe%온도제도용체구용법%단정생장%비선성
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8～12 μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视.采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Ф19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3～20 μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm-1,品质良好,已能满足激光实验要求.
紅外非線性晶體材料CdSe具有透光波段寬廣,吸收繫數低等優點,在中長波尤其是8～12 μm紅外波段的頻率轉換方麵有廣闊的應用前景,目前已引起國外衆多科研機構的極大重視.採用高溫元素反應法直接閤成CdSe多晶料,利用溫度梯度鎔體區鎔法生長齣CdSe單晶,晶體棒毛坯呎吋達Ф19×70 mm;通過X射線粉末衍射、感應耦閤等離子體質譜等對多晶原料進行成分分析,原料純度可達5N;利用低倍率紅外顯微鏡、紅外分光光度計檢測瞭晶體的基本光學性能,3～20 μm波段晶體平均吸收繫數α約為0.08 cm-1,品質良好,已能滿足激光實驗要求.
홍외비선성정체재료CdSe구유투광파단관엄,흡수계수저등우점,재중장파우기시8～12 μm홍외파단적빈솔전환방면유엄활적응용전경,목전이인기국외음다과연궤구적겁대중시.채용고온원소반응법직접합성CdSe다정료,이용온도제도용체구용법생장출CdSe단정,정체봉모배척촌체Ф19×70 mm;통과X사선분말연사、감응우합등리자체질보등대다정원료진행성분분석,원료순도가체5N;이용저배솔홍외현미경、홍외분광광도계검측료정체적기본광학성능,3～20 μm파단정체평균흡수계수α약위0.08 cm-1,품질량호,이능만족격광실험요구.
