微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
4期
242-247
,共6页
陈科帆%姚军%高福华%汪为民%倪祖高
陳科帆%姚軍%高福華%汪為民%倪祖高
진과범%요군%고복화%왕위민%예조고
微电子机械系统(MEMS)%变形镜%自适应光学%吸合效应%静电排斥力%冲程
微電子機械繫統(MEMS)%變形鏡%自適應光學%吸閤效應%靜電排斥力%遲程
미전자궤계계통(MEMS)%변형경%자괄응광학%흡합효응%정전배척력%충정
设计并制造了一种基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜,此变形镜采用了三个多晶硅结构层和一个金属反射层的设计.利用表面硅工艺完成了变形镜的加工,结合有限元分析软件和白光干涉仪对三种不同驱动器电极空间分布方式的静电排斥型变形镜进行了分析和研究.测试结果表明,静电排斥型变形镜在200V下能实现1.7 μm以上的位移,冲程较传统静电吸引型变形镜有显著提高.在相同电压下,第三层多晶硅作为边缘电极时的变形镜获得的位移最大,在210 V下达到2.42 μm.
設計併製造瞭一種基于靜電排斥力的大遲程MEMS變形鏡,此變形鏡採用瞭三箇多晶硅結構層和一箇金屬反射層的設計.利用錶麵硅工藝完成瞭變形鏡的加工,結閤有限元分析軟件和白光榦涉儀對三種不同驅動器電極空間分佈方式的靜電排斥型變形鏡進行瞭分析和研究.測試結果錶明,靜電排斥型變形鏡在200V下能實現1.7 μm以上的位移,遲程較傳統靜電吸引型變形鏡有顯著提高.在相同電壓下,第三層多晶硅作為邊緣電極時的變形鏡穫得的位移最大,在210 V下達到2.42 μm.
설계병제조료일충기우정전배척력적대충정MEMS변형경,차변형경채용료삼개다정규결구층화일개금속반사층적설계.이용표면규공예완성료변형경적가공,결합유한원분석연건화백광간섭의대삼충불동구동기전겁공간분포방식적정전배척형변형경진행료분석화연구.측시결과표명,정전배척형변형경재200V하능실현1.7 μm이상적위이,충정교전통정전흡인형변형경유현저제고.재상동전압하,제삼층다정규작위변연전겁시적변형경획득적위이최대,재210 V하체도2.42 μm.
