西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
2期
168-174
,共7页
何惠森%来新泉%许文丹%赵永瑞%田磊%杜含笑
何惠森%來新泉%許文丹%趙永瑞%田磊%杜含笑
하혜삼%래신천%허문단%조영서%전뢰%두함소
驱动电路%功率MOSFET%功率因数校正%BCD工艺%死区时间
驅動電路%功率MOSFET%功率因數校正%BCD工藝%死區時間
구동전로%공솔MOSFET%공솔인수교정%BCD공예%사구시간
设计了一种具有新颖的死区产生方法的高压功率MOS驱动电路,利用电阻调节驱动MOS管栅极电容充放电的时延,来产生极短的死区时间,可精简电路结构,提高驱动速率,并且无需电流偏置,就能有效降低电流源噪声.基于0.4 μm BCD工艺,经Cadence环境下进行仿真验证.结果表明,该驱动电路能够产生10 ns以下的死区时间,且传输时延低于70 ns.对采用该驱动电路的一款功率因数校正芯片进行测试,驱动输出开关信号的上升沿时间为90 ns,下降沿时间为55 ns.功率因数可达0.995,总谐波失真为6.5％.
設計瞭一種具有新穎的死區產生方法的高壓功率MOS驅動電路,利用電阻調節驅動MOS管柵極電容充放電的時延,來產生極短的死區時間,可精簡電路結構,提高驅動速率,併且無需電流偏置,就能有效降低電流源譟聲.基于0.4 μm BCD工藝,經Cadence環境下進行倣真驗證.結果錶明,該驅動電路能夠產生10 ns以下的死區時間,且傳輸時延低于70 ns.對採用該驅動電路的一款功率因數校正芯片進行測試,驅動輸齣開關信號的上升沿時間為90 ns,下降沿時間為55 ns.功率因數可達0.995,總諧波失真為6.5％.
설계료일충구유신영적사구산생방법적고압공솔MOS구동전로,이용전조조절구동MOS관책겁전용충방전적시연,래산생겁단적사구시간,가정간전로결구,제고구동속솔,병차무수전류편치,취능유효강저전류원조성.기우0.4 μm BCD공예,경Cadence배경하진행방진험증.결과표명,해구동전로능구산생10 ns이하적사구시간,차전수시연저우70 ns.대채용해구동전로적일관공솔인수교정심편진행측시,구동수출개관신호적상승연시간위90 ns,하강연시간위55 ns.공솔인수가체0.995,총해파실진위6.5％.
