电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2012年
4期
383-386
,共4页
张耿%王娟%向桂华%蔡君蕊%孙庆华%赵伟明
張耿%王娟%嚮桂華%蔡君蕊%孫慶華%趙偉明
장경%왕연%향계화%채군예%손경화%조위명
a-IGZO薄膜晶体管%光刻胶%保护层%SU-8%稳定性
a-IGZO薄膜晶體管%光刻膠%保護層%SU-8%穩定性
a-IGZO박막정체관%광각효%보호층%SU-8%은정성
采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响.经考察发现:采用光刻胶作为保护层时,保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变；但涂胶后暴露在空气中一定时间后,器件的电学特性开始衰退,尤其是阈值电压变化较明显,器件工作模式由增强型变为耗尽型,并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO,其化学反应导致沟道中氧脱附,载流子浓度增加.实验还发现:使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件,其电学特性衰退较小,在空气中放置一段时间后表现最稳定.
採用脈遲直流濺射的方式沉積IGZO膜層作為底柵結構TFT的有源層,併在揹溝道上塗覆不同類型的光刻膠作為保護層,探討不同保護層對器件電學特性的影響.經攷察髮現:採用光刻膠作為保護層時,保護層製作後短期內可維持器件的電學特性基本不變；但塗膠後暴露在空氣中一定時間後,器件的電學特性開始衰退,尤其是閾值電壓變化較明顯,器件工作模式由增彊型變為耗儘型,併推斷光刻膠中溶劑接觸到揹溝道中IGZO,其化學反應導緻溝道中氧脫附,載流子濃度增加.實驗還髮現:使用SU-8負性光刻膠作為保護層的器件,其電學特性衰退較小,在空氣中放置一段時間後錶現最穩定.
채용맥충직류천사적방식침적IGZO막층작위저책결구TFT적유원층,병재배구도상도복불동류형적광각효작위보호층,탐토불동보호층대기건전학특성적영향.경고찰발현:채용광각효작위보호층시,보호층제작후단기내가유지기건적전학특성기본불변；단도효후폭로재공기중일정시간후,기건적전학특성개시쇠퇴,우기시역치전압변화교명현,기건공작모식유증강형변위모진형,병추단광각효중용제접촉도배구도중IGZO,기화학반응도치구도중양탈부,재류자농도증가.실험환발현:사용SU-8부성광각효작위보호층적기건,기전학특성쇠퇴교소,재공기중방치일단시간후표현최은정.
