电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
2期
30-33,39
,共5页
低温烧结%微波介质陶瓷%液相烧结
低溫燒結%微波介質陶瓷%液相燒結
저온소결%미파개질도자%액상소결
在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右.文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能.
在製備多層微波元件過程中,為使用Cu、Ni等低鎔點導體,必鬚降低微波介質陶瓷的燒結溫度.本文介紹瞭通過液相燒結降低緻密化溫度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,這類材料的燒結溫度已降至1 000℃以下;也介紹瞭摻加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其緻密化溫度已低至880℃左右.文中還列齣瞭陶瓷組成、低鎔點氧化物或玻璃的組成及相關材料的微波介電性能.
재제비다층미파원건과정중,위사용Cu、Ni등저용점도체,필수강저미파개질도자적소결온도.본문개소료통과액상소결강저치밀화온도적BaTi4O9、Ba2Ti9O20급(Zr,Sn)TiO4도자,저류재료적소결온도이강지1 000℃이하;야개소료참가(V2O3+CuO)적BiNbO4기도자,기치밀화온도이저지880℃좌우.문중환렬출료도자조성、저용점양화물혹파리적조성급상관재료적미파개전성능.
