物理学报
物理學報
물이학보
2004年
5期
1558-1561
,共4页
林璇英%黄创君%林揆训%余运鹏%余楚迎%黄锐
林璇英%黃創君%林揆訓%餘運鵬%餘楚迎%黃銳
림선영%황창군%림규훈%여운붕%여초영%황예
拉曼散射光谱%多晶硅薄膜%微结构
拉曼散射光譜%多晶硅薄膜%微結構
랍만산사광보%다정규박막%미결구
用拉曼散射谱研究以SiCl4/H2为气源,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术,在200℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征.结果表明,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物,随射频功率增加,晶相结构的成分增大.另一方面,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大.因此可以认为,在多晶硅薄膜生长的最初阶段,空间反应过程对低温晶化起重要作用.
用拉曼散射譜研究以SiCl4/H2為氣源,用射頻輝光放電等離子體增彊化學氣相沉積技術,在200℃低溫下沉積多晶硅薄膜的微結構特徵.結果錶明,薄膜錶層包含有大量微晶相的納米硅晶粒和非晶相的硅聚閤物,隨射頻功率增加,晶相結構的成分增大.另一方麵,深度拉曼譜分佈的研究也顯示薄膜的晶化度和晶粒呎度隨縱嚮深度的增加逐漸增大.因此可以認為,在多晶硅薄膜生長的最初階段,空間反應過程對低溫晶化起重要作用.
용랍만산사보연구이SiCl4/H2위기원,용사빈휘광방전등리자체증강화학기상침적기술,재200℃저온하침적다정규박막적미결구특정.결과표명,박막표층포함유대량미정상적납미규정립화비정상적규취합물,수사빈공솔증가,정상결구적성분증대.령일방면,심도랍만보분포적연구야현시박막적정화도화정립척도수종향심도적증가축점증대.인차가이인위,재다정규박막생장적최초계단,공간반응과정대저온정화기중요작용.
