半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
z1期
16-18,117
,共4页
刘昌林%李仁豪%唐绍凡%周旭东%龙飞
劉昌林%李仁豪%唐紹凡%週旭東%龍飛
류창림%리인호%당소범%주욱동%룡비
高帧速%高速成像%多抽头%可见光CCD
高幀速%高速成像%多抽頭%可見光CCD
고정속%고속성상%다추두%가견광CCD
CCD具有低响应非线性、宽光谱响应、低噪声、高动态范围和测光精度,已被广泛应用于许多成像领域.本文介绍了利用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制的16抽头512×512元高帧速可见光CCD.测试结果表明,该器件具有高的光响应均匀性、高动态范围和低噪声,并已成功应用于高分辨率高速成像.
CCD具有低響應非線性、寬光譜響應、低譟聲、高動態範圍和測光精度,已被廣汎應用于許多成像領域.本文介紹瞭利用三層多晶硅、埋溝、雙層金屬工藝研製的16抽頭512×512元高幀速可見光CCD.測試結果錶明,該器件具有高的光響應均勻性、高動態範圍和低譟聲,併已成功應用于高分辨率高速成像.
CCD구유저향응비선성、관광보향응、저조성、고동태범위화측광정도,이피엄범응용우허다성상영역.본문개소료이용삼층다정규、매구、쌍층금속공예연제적16추두512×512원고정속가견광CCD.측시결과표명,해기건구유고적광향응균균성、고동태범위화저조성,병이성공응용우고분변솔고속성상.
